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隔膜在鋰離子電池中主要起到導(dǎo)通鋰離子和隔絕正負(fù)極之間電子接觸的作用，是支撐電池完成充放電電化學(xué)過程的重要構(gòu)件。當(dāng)電池出現(xiàn)過充或者溫度升高時(shí)，隔膜需要有足夠的熱穩(wěn)定性（熱變形溫度＞200 oC），以有效

托卡馬克裝置運(yùn)行過程中，等離子體的性質(zhì)和狀態(tài)及其他各種表征等離子體性質(zhì)和狀態(tài)的物理量的測(cè)定是托卡馬克實(shí)驗(yàn)研究的首要問題。等離子體狀態(tài)和行為復(fù)雜多變，不能從單一測(cè)量直接得到它的準(zhǔn)確性質(zhì)和狀態(tài)。而需要通過

宏觀物質(zhì)在一定壓強(qiáng)下隨溫度升高，由固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)，再變?yōu)闅鈶B(tài)，有的直接從固態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)。那么對(duì)于氣態(tài)物質(zhì)再繼續(xù)升高溫度，將會(huì)有什么變化呢？　　 　　我們知道，溫度越高，表明物質(zhì)分子的熱運(yùn)動(dòng)愈劇烈。當(dāng)溫度足

在地球上我們通過人工的辦法可以產(chǎn)生一些電高度不高的“低溫”等離子體。在大氣層中也存在一些奇異多采的等離子體現(xiàn)象，其中像球狀閃電、極光等奇特景象。

從電子元器件（如晶體管）的密度這個(gè)角度上來(lái)說(shuō)，IC代表了電子學(xué)的尖端。但是IC又是一個(gè)起始點(diǎn)，是一種基本結(jié)構(gòu)單元，是組成我們生活中大多數(shù)電子系統(tǒng)的基礎(chǔ)。同樣，IC不僅僅是單塊芯片或者基本電子結(jié)構(gòu)，IC的種類千差萬(wàn)別（模擬電路、數(shù)字電路、射頻電路、傳感器等），因而對(duì)于封裝的需求和要求也各不相同。所以，IC封裝在電子學(xué)金字塔中的位置既是金字塔的尖頂又是金字塔的基座。

TI 近日發(fā)布了MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理的應(yīng)用報(bào)告。該報(bào)告對(duì)目前較為流行的電路解決方案及其性能進(jìn)行了分析，包括寄生器件的影響、瞬態(tài)和極端工作條件。從 MOSFET 技術(shù)和開關(guān)運(yùn)行概述入手，詳細(xì)介紹接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。該報(bào)告還包含了一個(gè)特殊部分，專門介紹在同步整流器應(yīng)用中 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的重要性。

【編者按】1833年，英國(guó)科學(xué)家電子學(xué)之父法拉第首次發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體現(xiàn)象；1839年，法國(guó)的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)了光生伏特效應(yīng)，而這也是半導(dǎo)體被人們發(fā)現(xiàn)的第二個(gè)特征；1873年，英國(guó)的史密斯發(fā)現(xiàn)了光電導(dǎo)效應(yīng)；直到1947年12月，半導(dǎo)體的全部特性，才被貝爾實(shí)驗(yàn)室全部總結(jié)完畢。 回憶往昔近兩百年，半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)歷了日本上世紀(jì)80年代的風(fēng)光，也經(jīng)歷了英特爾和美國(guó)能源部的牽頭研究、以及廠商間的“廝殺”...... 如今，半導(dǎo)體早已應(yīng)用在尋常百姓家。而半導(dǎo)體的核心——光刻機(jī)，卻一直就像綠葉一樣，默默無(wú)聞地映襯著半導(dǎo)體這朵紅花。 那么，兩個(gè)世紀(jì)的歲月流轉(zhuǎn)中，圍繞光刻機(jī)究竟曾發(fā)生過哪些讓人們津津樂道的故事？這，正是本文要為你娓娓道來(lái)的。

近日，復(fù)旦大學(xué)高分子科學(xué)系、聚合物分子工程國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室魏大程研究員團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期致力于開發(fā)場(chǎng)效應(yīng)晶體管電學(xué)材料，包括共軛有機(jī)分子、大分子、低維納米材料，研究場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的設(shè)計(jì)原理以及在光電、化學(xué)傳感、生物傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用。近日，該團(tuán)隊(duì)在場(chǎng)效應(yīng)晶體管介電基底的界面修飾領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。相關(guān)研究成果以《共形六方氮化硼介電界面改善二硒化鎢器件遷移率和熱耗散》（Conformal Hexagonal-Boron　Nitride　Dielectric　Interface for　Tungsten　Diselenide　Devices with　Improved Mobility and Thermal Dissipation）為題在線發(fā)表于《自然·通訊》（Nature Communications）。

10月3日，清華大學(xué)電機(jī)系李琦副教授、何金良教授及合作者在《先進(jìn)材料》（Advanced Materials）期刊上發(fā)表了題為《一種顯著提高聚合物電介質(zhì)高溫儲(chǔ)能特性的通用化、高通量、環(huán)境友好的制備方法》（A Scalable, High-Throughput and Environmentally Benign Approach to Polymer Dielectrics Exhibiting Significantly Improved Capacitive Performance at High Temperatures）的研究論文。該論文提出了一種可規(guī)模化的高溫聚合物電容器薄膜制備方法，可大幅提高聚合物電容器薄膜在高溫下的介電儲(chǔ)能特性，有望與現(xiàn)有聚合物電容器薄膜制備生產(chǎn)線相結(jié)合實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，解決電容器在電力電子、航空航天和電動(dòng)汽車電控系統(tǒng)中面臨的過熱損壞難題。

wire bonding也叫邦定-COB（chip on board）技術(shù)是指將裸芯片直接貼在PCB 板上，然后用鋁線或金線進(jìn)行電子連接的技術(shù)。隨著業(yè)內(nèi)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，且人工成本的持續(xù)增加，需要封裝芯片的PCB 產(chǎn)品成本越來(lái)越高，客戶的利潤(rùn)越來(lái)越低，為了降低成本增加利潤(rùn)，客戶研究了諸多方法，其中邦定技術(shù)是芯片直接通過金屬線與PCB 連接，節(jié)省了載板和封裝的費(fèi)用，能夠大幅降低客戶產(chǎn)品成本；另外高速傳輸技術(shù)的發(fā)展，也迫切需求邦定技術(shù)，例如25G 及其以上速率的芯片，其工藝基本上都是邦定工藝。不僅PCB 上對(duì)邦定技術(shù)急切需求，F(xiàn)PC產(chǎn)品同樣對(duì)邦定技術(shù)急切需求。 而 FPC 產(chǎn)品由于其迥異于PCB 產(chǎn)品可撓曲性及立體安裝性，其制造材料和加工過程與PCB 板有著很大差別，這也就造成了FPC 產(chǎn)品做成成品后，其邦定性能測(cè)試與PCB 產(chǎn)品不同，其邦定不良表現(xiàn)也相差很大，因此并不能采用解決PCB邦定不良的方法改善FPC產(chǎn)品的邦定性能。 FPC 廠家在生產(chǎn)過程中在邦定性能測(cè)試的具體問題表現(xiàn)為，打線合格率低下、打線可靠性差（主要表現(xiàn)在打線結(jié)合力），為了解決這些難題，本文通過對(duì)邦定過程機(jī)理進(jìn)行分析，并根據(jù)FPC產(chǎn)品的材料特性及加工過程，總結(jié)了FPC 邦定不良的根源，并提出了提高FPC 產(chǎn)品的邦定性能的的改善方法。